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（）：三星使用V-NAND技術加大固態硬盤存儲能力
Orignal From: 三星使用V-NAND技術加大固態硬盤存儲能力
5月30日消息，據國外媒體報道，三星使用最新存儲技術加大瞭新的1TB固態硬盤的存儲能力。該固態硬盤主要面向高端個人電腦，采用三星第二代V-NAND技術。這項技術使得儲存芯片可以垂直疊放。
三星同時發佈瞭128GB, 256GB和512GB的固態硬盤。在手提電腦上，1TB的固態硬盤存儲量還可以少量增加，目前可以最多增加512G的容量。三星表示，相比儲存模塊並列設置的舊NAND固態硬盤，新固態硬盤的數據寫入耐久性是原來的兩倍，並且效率比原來的增加瞭20%。
由於三星仍在改進V-NAND技術，並希望在固態硬盤中疊置32個NAND儲存層，目前該固態硬盤的價格尚不可知。
去年發佈的第一代V-NAND疊置瞭24個儲存層。儲存層之間通過專有方式連接和傳輸數據。這種儲存芯片疊置的方式已經在內存芯片和單芯片系統設備上使用過。
儲存芯片垂直重疊的新方式使儲存設備體積更小、功效更強。三星公司表示今年晚些時候將會發佈基於V-NAND研發的更為可靠的儲存設備。
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